分类发用分享图4. 基于低维材料的三维结构器件与三维集成系统

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在分别介绍三维结构器件和系统以及低维材料后，业可优惠他们详细阐述了使用CNT、业可优惠石墨烯和TMDC等低维材料构建的FinFET、GAAFET和三维集成系统，如鳍式沟道宽度低至0.6纳米的单层二硫化钼沟道FinFET、相当于七层硅沟道堆叠GAAFET的双层二硫化钼沟道堆叠GAAFET和实现感-存-算一体功能的三维集成系统等（图4）。三、分类发用分享数据概览图1. 基于低维材料的三维结构器件与集成系统。针对亟需解决的关键挑战，推进替代套餐他们提出一方面需要解决器件领域的共性问题，推进替代套餐包括提升器件均匀性、降低接触电阻、提升载流子迁移率和调控介电材料等效氧化层厚度等（图6），另一方面需要解决低维材料三维结构器件的特殊问题，如低维材料的三维几何支撑、大规模工业制备工艺以及三维集成系统中的散热和互联问题等。

成会明，电能电企中国科学院院士，现任深圳理工大学（筹）材料与能源学院名誉院长、中科院深圳先进技术研究院碳中和技术研究所所长。主要从事新型半导体器件研究，业可优惠曾在《科学》《自然-纳米技术》等核心期刊发表论文80余篇，业可优惠入选2020年度中国半导体十大研究进展、2021中国光学领域二十大最具社会影响力事件等。

最后他们展望了使用全二维材料制备三维结构器件、分类发用分享制备碳纳米管垂直环栅结构晶体管和使用新型六元环高迁移率二维材料等制备未来器件的研究前景。

在器件性能迭代发展过程中，推进替代套餐为应对短沟道效应等方面的挑战，推进替代套餐一方面人们开发了鳍式场效应晶体管（FinFET）、环栅场效应晶体管（GAAFET）和三维集成等三维结构器件和系统技术，另一方面也提出使用碳纳米管（CNT）、石墨烯和二维过渡金属硫化物（TMDC）等低维材料作为沟道发展低维电子器件（图1）。电能电企那么应该如何处理大面积泡水的木地板呢?来看看著名木地板品牌的小编整理的处理攻略

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